功率电感:峰值电流控制与平均电流 所以尖峰电流模式控制在占空比大于50%时,电路工作不稳定,需给PWM比较器加坡度补偿以使电路稳定。内部电流环的增益尖峰会使相移超出范围,导致电路工作不稳定,使电压环进入次谐波振荡。这时在连续固贴
EMI滤波器经优化可降低对调光性能的影响。电阻R20为可熔电阻。如果某个元件故障会导致输入电流过大,应选择可熔电阻来使开路失效。与非PFC设计或无源PFC设计相比,薄膜电阻(相对于线绕电阻)是可以接受的。这会在输入电容充电时降低瞬间功率电感耗散,但对于在高压下工作的设计建议使用2W的额定值。此外,它们可以限制相位超前可控硅调光器导通以及电容C4和C5充电时所产生的浪涌电流。当可控硅以90度或270度角导通时出现最差条件(浪涌电流达到最大),它对应于AC波形的波峰。最后,它们可以在前沿可控硅导通时衰减在AC输入阻抗与电源输入级之间由浪涌电流再次导致的任何电流振荡。
两个π型差模滤波器EMI级与C1、R2、L1和C2一起形成一个级,C4、L2、R9和C5形成第二个级。在测试时发现,没有要求C1满足传导EMI限值,因此没有装配。AC输入由BR1进行整流,由C4和C5进行滤波。所选取的总等效输入电容(C4、C5与C6的和)可确保LinkSwitch-PL器件对AC输入进行正确的过零点检测,这对于在调光期间维持正常工作和实现最佳性能很有必要。
3 、有源衰减电路
有源衰减电路用于限制调光器内的可控硅导通时所产生的浪涌电流、相关电压尖峰和振荡。该电路在每个AC半周期的短暂时间内连接与输入整流管串联的阻抗(R7和R8),在剩下的AC周期则通过一个并联SCR (Q3)旁路。电阻R3、R4和C3决定Q3导通前的延迟时间。
4 、泄放电路
电阻R10、R11和C6形成泄放电路,确保初始输入电流量足以满足可控硅的维持电流要求,特别是在可控硅导通角不够大的情况下。对于非调光应用,可同时去除有源衰减电路和泄放电路。为此,可删除下列元件:Q3、R20、R3、R4、R10、R11、C6及C3。 将R7、R8及R20替换为0欧电阻。
5 、LinkSwi一体电感制作tch-PL初级
LNK457DG器件(U1)集成了功率开关器件、振荡器、输出恒流控制、启动以及保护功能。集成的725 V MOSFET提供更宽的电压裕量,即使在发生输入浪涌的情况下仍可确保高可靠性。该器件通过去耦电容C9从旁路引脚获得供电。启动后,C9由U1从内部电流源并经由漏极引脚进行充电,然后在正常工作期间则由输出经由R15和D4进行供电。经整流和滤波的输入电压加在T1初级绕组的一端。U1中集成的MOS一体电感器厂家FET驱动变压器初级绕组的另一侧。D2、R13、R12和C7形成RCD-R箝位电路,对漏感引起的漏极电压尖峰进行限制。
二极管D6用于防止IC在功率MOSFET因反射输出电压超过DC总线电压而关断时产生负向振荡(漏极电压振荡低于源极电压),确保以最小输入电容实现较高的功率因数。
6、输出整流模压电感器生产商
变压器的次级由D5整流,由C11滤波。选用肖特基势垒二极管来提高效率。由于C11在AC过零点期间提供能量存储,因此它的值决定了线电压频率输出纹波的幅值(因采用全波整流而为2 x fL )。因此可根据所需的输出纹波来调整该值。对于所显示的680微F值,输出纹波为±IO的50%。电阻R17和C10用来衰减高频振荡,改善传导及辐射EMI。
7、输出反馈
恒流模式设定点由R18上的电压降决定,然后馈入U1的反馈引脚。输出过压保护由VR2和R14提供(R14对电流检测信号的影响微不足道,可忽略不计)。