功率电感：MOSFET驱动器和布局(二） 基于同样的原因，在总线电压非常低的情况下，由于QGD/QGS（VTH）仍远小于1，因此不一定要符合公式（1）。为了安全起见，对于更高电压的电感器件，推荐使用0.5Ω或0.5Ω以下的栅极驱动下拉电
本帖最后由joymm于2014-7-711:01编辑
打算用一个简单电路检测220是否掉电。
在网上搜了一下，搭了下示电路，注意后面的电路我没有画，与问题无关，，图中双向光耦为el814，我实际使用双向led代替的。
使用中发现r1发烫严重，这样的电路无法用于真实产品的。
后改为下图：
结果出现，只是上电的瞬间led亮一下，然后就不亮了，请问为什么会出现这样的现象？如何解决？
建议用示波器在光耦CE端看波形
RC串联降压，不能用并联，
上电的瞬间led亮一下，然后就不亮了。
这是因为电容在上电时视为短路，高压直接加在LED上，给LED击穿了。
解决办法就是去掉电容，只用300k电阻。
如果LED亮度不够，想办法。
要想LED比较亮可以把104串联在交流回路然后全桥整流再带LED.
感谢大家回帖，先回一下4楼的，led没有损坏，上电时候led闪一下，就熄灭了，过一会再通电依然是闪一下，熄灭。
不要用电容。
用150K/2W是可以的，有一点发热是正常的。
如果希望损耗小些用300K或1M或更大的电阻也可以。
光耦可以检测到的。
joymm发表于2014-6-3010:27
感谢大家回帖，先回一下4楼的，led没有损坏，上电时候led闪一下，就熄灭了，过一会再通电依然是闪一下，熄...
只用300k电阻可以点亮LED。
如果点不亮，那说明LED选的不是高亮的，或者已经被电容冲击而退化。
加个电阻分压，怎么样？
我一开始就是300k/2w的金属膜，真的有点热，因为是在封闭的塑料盒中使用，所以能摸到的明显热量我觉得不能接受。
刚才又按8楼说的试了一下，不行。
在led两端并电阻，并0.1u的电容，并tvs都试过，不行。
强烈需要大家帮提高下理论解释。
这样任意尝试没哟任何意义，就算能用了，也要能解释才行啊。
你是一定要看到它很亮才行么？
前面说的得对，应把0.1u的电容串联在回路里(阻抗=1/2/3.1415926/50/0.0000001)=32k，最好再串10k电阻吧，怕万一电容挂了，电阻还能扛一下。
因此电流有效值=(220-2)/42=5.2mA，每个LED2.6mA，不够亮的话可再调调数值。
电阻大了些
好心人真多，回一下12楼：目前双向led是根本不亮，大家都知道光耦是根据光亮强度改变基极电流大小的，不亮就没法驱动后级的。
谢谢13楼指点，我一会就去试一下：应该就是按下图吧？
你这个功耗太大了吧加大组织
问题基本解决，还要再试验一下，下次回帖汇报整个过程，应该对和我有相同需求的人有所参考价值。
感谢所有帮助我的人~
本帖最后由joymm于2014-7-710:32编辑
重申一下，直接用电阻加led的方式，最大的问题就是电阻上的功耗挺大的，如果做在产品里我觉得不合适。
所以来想用电容降压的方式来解决。
先说下下图的这两种方式：
这两种方式在本应用中没有任何区别，led的亮度都是一样的。
不过我还是选择了后者，因为R1可以起到泄放c1电荷的作用，否则断电后，c1可能会积累电荷，吧啦吧啦~我记得好像是电子报上说的。
上面我说的电路不工作，最主要原因是lymex说的，就是上电瞬间，电压直接加在led两端，造成器件击穿。
由于时间很短，造成的器件损坏不明显，我快速cha快速拔n次后，就看出来了。
完整的电路应该如下图所示，led两端需要有tvs保护：
本图充分利用了阻容降压是一个电流源的原理（后面的双向led也是电流器件），不需要用电阻稳压管或者桥什么的，转成电压源，即简化了电路，又降低功耗。
图中所有器件都标示了参数，大家可以直接使用，嘿嘿。
注：如果r1微温应该可以适当大加数值，不过我就只有这么大小的电阻，没有做试验。
上苍保佑所有回我帖的好心的人~
在主回路里面再串联一个电阻比较好。
放置电容被击穿之后，出现较大电流的问题。