【设计】单电感移动电源设计方案 文章摘自:凌力尔特技术论坛-与非网(https://linear.专注于大电流电感设计、制造:电话 :181-2638-2251/module/forum/forum.php)
1.引言
针对如
图1电感企业显示了三种基本的电源拓扑示例。第一个示意图所显示的降压稳压器适用于输出电压总小于输入电压的情形。在图1中,降压稳压器会通过改变MOSFET的开启时间来控制电流进入LED.电流感应可通过测量电阻器两端的电压获得,其中该电阻器应与LED串联。对该方法来说,重要的设计难题是如何驱动MOSFET。从性价比的角度来说,推荐使用需要浮动栅极驱动的N通道场效应晶体管(FET)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。
图1 简单的降压和升压型拓扑为LED供电
图1还显示了备选的降压稳压器(buck#2)。在此电路中,MOSFET对接地进行驱动,从而大大降低了驱动电路要求。该电路可选择通过监测FET电流或与LED串联的电流感应电阻来感应LED电流。后者需要一个电平移位电路来获得电源接地的信息,但这会使简单的设计复杂化。另外,图1中还显示了一个升压转换器,该转换器可在输出电压总是大于输入电压时使用。由于MOSFET对接地进行驱动并且电流感应电阻也采用接地参考,因此此类拓扑设计起来就很容易。该电路的一个不足之处是在短路期间,通过功率电感器的电流会毫无限制。您可以通过保险丝或电子断路器的形式来增加故障保护。此外,某些更为复杂的拓扑也可提供此类保护。
图2 降压-升压型拓扑可调节大于或小于Vout的输入电压
图2显示了两款降压-升压型电路,该电路可在输入电压和输出电压相比时高时低时使用。两者具有相同的折衷特性(其中折衷可在有关电流感应电阻和栅极驱动位置的两个降压型拓扑中显现)。图2中的降压-升压型拓扑显示了一个接地参考的栅极驱动。它需要一个电平移位的电流感应信号,但是该反向降压-升压型电路具有一个接地参考的电流感应和电平移位的栅极驱动。如果控制IC与负输出有关,并且电流感应电阻和LED可交换,那么该反向降压-升压型电路就能以非常有用的方式进行配置。适当的控制IC,就能直接测量输出电流,并且MOSFET也可被直接驱动。
拓扑结构分析
该降压-升压方法的一个缺陷是电流相当高。例如,当输入和输出电压相同时,电感和电源开关电流则为输出电流的两倍。这会对效率和功耗产生负贴片电感器生产厂面的影响。在许多情况下,图3中的“降压或升压型”拓扑将缓和这些问题。在该电路中,降压功率级之后是一个升压。如果输入电压高于输出电压,则在升压级刚好通电时,降压级会进行电压调节。如果输入电压小于输出电压,则升压级会进行调节而降压级则通电。通常要为升压和降压操作预留一些重叠,因此从一个模型转到另一模型时就不存在静带。
当输入和输出电压几乎相等时,该电路的好处是开关和电感器电流也近乎等同于输出电流。电感纹波电流也趋向于变小。即使该电路中有四个电源开关,通常效率也会得到显着的提高,在电池应用中这一点至关重要。图3中还显示了SEPIC拓扑,此类拓扑要求较少的FET,但需要更多的无源组件。其好处是简单的接地参考FET驱动器和控制电路。此外,可将双电感组合到单一的耦合电感中,从而节省空间和成本。但是像降压-升压拓扑一样,它具一体电感厂家有比“降压或升压”和脉动输出电流更高的开关电流,这就要求电容器可通过更大的RMS电流。
图3 降压或升压型以及SEPIC拓扑提供了更高的效率