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功率电感:浅析IGBT门级驱动(一)

发布日期:2015-08-28 08:02:24

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      1 IGBT门极驱动要求

      1.1 栅极驱动电压

      因IGBT栅极-发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行驱动,但IGBT的输入电容较MOSFET大,所以IGBT的驱动偏压应比MOSFET驱动所需偏压强。图1是一个典型的例子。在+20℃情况下,实测60 A,1200 V以下的IGBT开通电压阀值为5~6 V,功率电感厂在实际使用时,为获得最小导通压降,应选取Ugc≥(1.5~3)Uge(th),当Uge增加时,导通时集射电压Uce将减小,开通损耗随之减小,但在负载短路过程中Uge增加,集电极电流Ic也将随之增加,使得IGBT能承受短路损坏的脉宽变窄,因此Ugc的选择不应太大,这足以使IGBT完全饱和,同时也限制了短路电流及其所带来的应力(在一体电感厂具有短路工作过程的设备中,如在电机中使用IGBT时,+Uge在满足要求的情况下尽量选取最小值,以提高其耐短路能力)。

      1.2 对电源的要求

      对于全桥或半桥电路来说,上下管的驱动电源要相互隔离,由于IGBT是电压控制器件,所需要的驱动功率很小,主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电,要求能提供较大的瞬时电流,要使电感IGBT迅速关断,应尽量减小电源的内阻,并且为防止IGBT关断时产生的du/dt误使IGBT导通,应加上一个-5 V的关栅电压,以确保其完全可靠的关断(过大的反向电压会造成IGBT栅射反向击穿,一般为-2~10 V之间)。

      1.3 对驱动波形的要求

      从减小损耗角度讲,门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭,前沿很陡的门极电压使IGBT快速开通,达到饱和的时间很短,因此可以降低开通损耗,同理,在IGBT关断时,陡峭的下降沿可以缩短关断时间,从而减小了关断损耗,发热量降低。但在实际使用中,过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下,IGBT过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt,并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成IGBT或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升和下降速度时,应根据电路中元件的耐压能力及du/dt吸收电路性能综合考虑。


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