反激式开关电源应用电路设计图详
开关电源本身种类繁多,设计方法也复杂多样,因此研究一种简洁的方法去快速设计出所需要的通用型高效率,低廉价格的开关电源是很有必要的。
开关直流稳压电源是基于
而在众多微缩制程的封装技术中,以TSV(Through-SiliconVia)直通矽晶穿孔封装技术目前颇受业界关注,TSV为能让3DIC封装满足IC业界摩尔定律(Moore’sLaw)产品演进速度的一种晶片内的互连技术。TSV设计概念是源自高密度多层印刷电路板(PCB)设计,TSV封装方式可以如同千层派般层层堆叠数片功能晶片,封装技术将电力互相连接的三次元(3D)堆叠封装(StackPackage)方式,这可以使TSV封装方法较传统采平面(2D)形式配置晶片的封装技术进入3D的晶片堆叠技术,目前TSV技术已有相关产品应用于市场。
TSV难度高线路成形制法为成功关键
以TSV立体堆叠技术来说,实践TSV封装方案的关键包括晶圆薄化、钻孔、导电材质填孔、晶圆与晶圆间的连接处理等,TSV的晶片堆叠方式并不是采行以往2DIC整合常见的打线接合(WireBonding)方式来制作不同晶片的连接处理,而是使用在晶片上进行钻孔打洞方式于晶片底部填入金属材料。
实际的作法与步骤是:在每一组矽晶圆以蚀刻或雷射型式来进行钻孔(via)处理,制作出可以贯通每一层晶片的导线一体成型电感厂家空间(此为前置处理步骤),接着再利用铜、多晶矽、钨…等导电材料来填满各层晶片预先处理的线路管径,透过导孔以导电物连结后形成电子电路通道(内部接合线路),进行讯号或电力连接目的,当内部线路处理完成后,再将晶圆或者功率电感公司是晶粒施加薄化研磨处理,或再搭配堆叠、结合(Bondin一体成型电感企业g)等加工制程进行制作,TSV即为将多IC晶片整合的关键堆叠技术。
TSV技术其实也不见得仅能将导线设置于晶片的四周。因为TSV的观念是全3D立体布线的思维,原有2D概念的原件布局可以改垂直方向的3D堆叠,至于内部连接线路除了利用晶片周围进行连接外,TSV技术也可将线路连接处设计于穿越晶片本身,连接线也可以在晶片中间或是设置需求处。这种弹性的线路连接方式,可以进一步简化内部线路连接型态,可让晶片内的传输线距以最佳化的距离进行设计,使内部连接路径以更短的距离达到连接需求。
采行TSV制法效益多已有记忆体产品导入市场
TSV除改善传输或信号线距外,因为点对点的传输线距使得导通路径缩短,这在电子电路应用中可以产生相当多的效益!例如,该线路可以传输更高频的信号,该线路的阻抗也可以因传输距离缩减而相对应减少,自然线路杂讯问题也可获得改善,元件的效能同时可以获得提升,对于部分高效应用可能产生的晶片核心高热现象,也可善用TSV的线路设置弹性,将容易聚集高热的关键元件核心进行导电线路制作,除讯号传递效果外也可将晶片核心的高热透过多元导通线路进行内部温度逸散途径。
另外,TSV技术可以让异质晶片堆叠透过连接线达到高密度构装,并可应用于类比、数位或同时存在类比/数位晶片的封装场合,且矽基、记忆体与射频元件等产品均适用。
此外,TSV的立体互连技术优势,也较打线接合的晶片连接型式有更多的技术优点。例如,具更短的内部互连路径、线路的电阻/电感值更低,亦可在传递讯号与晶片内的电力配送更具效率,甚至TSV制作方式另拥有可不限制裸晶堆叠数量,导入技术的优势相当显著,目前在CMOSSensor、记忆体产品已逐步导入TSV技术改善产品效能,此外在基频IC、射频IC与SoC处理器等应用领域,也会持续增加。